| Authors | Amir Zelati - Masoud Majidiyan Sarmazdeh |
|---|---|
| Conference Title | Annual Physics Conference of Iran |
| Holding Date of Conference | ۲۰۲۱-۰۸-۲۳ |
| Event Place | Isfahan, Iran |
| Presented by | Birjand University of Technology |
| Page number | ۸۱۶-۸۱۹ |
| Presentation | POSTER |
| Conference Level | International Conferences |
Abstract
در این مقاله، برخی از ویژگی های اپتیکی از قبیل قسمت حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی، ضریب جذب، ضریب شکست و بازتابش اپتیکی برای نیمرسانای SnS2 در فاز جدید مکعبی آن بر اساس نظریۀ DFT مورد بررسی قرار گرفته است. بر اساس تغییرات قسمت حقیقی تابع دی الکتریک، یک مدل نوسانگر لورنتز برای قسمت حقیقی تابع دی الکتریک ارائه شده است. مقدار گاف اپتیکی به دست آمده eV 2/27 در تطابق خوبی با مقدار تجربی گزارش شده است. مقدار انرژی پلاسمونی برای این ساختار eV 19/60 محاسبه شده ست. ضریب شکست استاتیک برای این نیمرسانا در فاز مکعبی 2/61 به دست آمده است.