| نویسندگان | امیر زلتی - مسعود مجیدیان سرمزده |
|---|---|
| همایش | کنفرانس فیزیک ایران ۱۴۰۰ |
| تاریخ برگزاری همایش | ۱۴۰۰-۰۶-۰۱ |
| محل برگزاری همایش | اصفهان - ایران |
| ارائه به نام دانشگاه | دانشگاه صنعتی بیرجند |
| شماره صفحات | ۸۱۶-۸۱۹ |
| نوع ارائه | پوستر |
| سطح همایش | بین المللی |
چکیده مقاله
در این مقاله، برخی از ویژگی های اپتیکی از قبیل قسمت حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی، ضریب جذب، ضریب شکست و بازتابش اپتیکی برای نیمرسانای SnS2 در فاز جدید مکعبی آن بر اساس نظریۀ DFT مورد بررسی قرار گرفته است. بر اساس تغییرات قسمت حقیقی تابع دی الکتریک، یک مدل نوسانگر لورنتز برای قسمت حقیقی تابع دی الکتریک ارائه شده است. مقدار گاف اپتیکی به دست آمده eV 2/27 در تطابق خوبی با مقدار تجربی گزارش شده است. مقدار انرژی پلاسمونی برای این ساختار eV 19/60 محاسبه شده ست. ضریب شکست استاتیک برای این نیمرسانا در فاز مکعبی 2/61 به دست آمده است.